西部数据扩展存储领导BiCS5 3 d NAND闪存技术

　　西部数据公司(纳斯达克:WDC) 已经宣布,它已成功开发了第五代3 d NAND闪存技术,BiCS5,继续公司的领导提供业界最先进的闪存技术。 BiCS5,建立在triple-level-cell (TLC)和quad-level-cell (QLC)技术,提供非凡的能力,在一个引人注目的成本性能和可靠性。 这使它理想的解决相关的指数增长的数据连接汽车、移动设备和人工智能。

　　西方数字开始BiCS5 TLC的初始生产512 -千兆(Gb)芯片,目前运输消费产品建立在新技术。 在有意义的商业生产BiCS5卷预计在2020年下半年的日历。 BiCS5 TLC和BiCS5 QLC可用的能力,包括具有(Tb) 1.33 t比特信息能力。* * *

　　“当我们进入下一个十年,一种新的3 d NAND扩展方法是至关重要的继续满足不断上升的需求数量和速度的数据,”史蒂夫Paak博士说,高级副总裁西部数据的内存技术和制造。 “我们的成功生产BiCS5说明西部数据的闪存技术的持续领导和强有力的执行我们的路线图。 通过利用新进展我们的多层内存洞技术增加横向密度以及添加更多的存储层,我们大大扩展容量和性能的3 d NAND闪存技术,同时继续提供客户期望的可靠性和成本。”

　　建立利用各种新技术和生产创新,BiCS5是西部数据最高的密度和最先进的3 d NAND闪存技术。 第二代多层内存洞技术,提高工程流程和其他3 d NAND细胞增强显著增加细胞阵列密度水平在整个晶片。 这些“横向扩展”进步结合112层的垂直记忆能力使BiCS5提供40% *更多的存储容量/晶片相比,西部数据的96 -层BiCS4技术,同时优化成本。 新设计的增强也加速性能,使BiCS5提供更快的I / O性能50%相比BiCS4。* *

　　BiCS5技术与技术共同开发和制造伙伴Kioxia公司。 它将由合资企业生产设备在三重县四日市,日本和北上川北侧城市,日本岩手县。

　　BiCS5技术的引入建立在一个完整的西方数字3 d NAND闪存技术组合在以数据为中心的个人电子产品,使用智能手机,物联网设备和数据中心。