Everspin版本设计指南使用1 Gb STT-MRAM Xilinx DDR4 FPGA控制器

　　Everspin技术公司。（纳斯达克：MRAM），世界领先的开发商和制造商的磁阻的RAM （MRAM），今天宣布了一项全面的设计简化的集成千兆指南（Gb）自旋转矩磁阻的随机存取存储器（STT-MRAM）产品在存储市场。 Xilinx公司，适应性和智能计算的领导者，一直支持Everspin STT-MRAM两代人，使1 Gb STT-MRAM解决方案使用其DDR4控制器在Xilinx Vivado开发环境。

　　Everspin和Xilinx集成解决方案提供了很多好处，与结构设计指南和工具地址：

　　时间：降低工作频率，增加一行访问时间，增加计数器宽度，减少CAS页面大小

　　在校准升高：启用anti-scribble模式

　　省电：急停或将所有相关数据移动到持久内存数组中

　　性能：增加管道深度和数据传输效率

　　脚本：提供Verilog模型和其他详细信息存储OEM的设计有效地启动和运行

　　“MRAM和持久的记忆是一个越来越重要的技术跨越广泛的解决方案，”Jamon鲍文表示，计划和存储段主任Xilinx数据中心集团。 “我们看到许多应用，功率损耗等高级功能的保护是至关重要的。 很高兴看到合作伙伴像Everspin方便客户开发世界级的内存子系统利用Xilinx平台。”

　　Everspin STT-MRAM设备允许企业基础设施和数据中心供应商来增加系统的可靠性和性能，高性能的数据持久性是至关重要的。 这是通过提供保护功率损耗没有使用超级电容器和电池。 此外，较大的密度1 Gb部分提供更有效的管理I / O流，创建一个更大程度的延迟决定论和允许存储oem显著提高产品的服务质量。 相似的好处也可以通过使用1 Gb STT-MRAM设备作为存储持久数据写入缓冲器和织物加速器，计算存储和其他应用程序。

　　“我们价值与Xilinx合作，继续与他们合作将我们STT-MRAM解决方案市场，“特洛伊·温斯洛说，负责销售和营销的副总裁Everspin。 “提供这种设计指南和工具将帮助简化集成和上市时间为我们的客户提供增强的应用程序数据中心”。